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Fairchild产品 - FQPF19N10介绍
FQPF19N10 - N 沟道 QFET MOSFET 100V,13.6A,100mΩ

FQPF19N10是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FQPF19N10是N 沟道 QFET MOSFET 100V,13.6A,100mΩ,本站介绍了FQPF19N10的封装使用图解、特点和好处、功效等,并给出了与FQPF19N10相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FQPF19N10 - N 沟道 QFET MOSFET 100V,13.6A,100mΩ - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FQPF19N10 - 产品形貌

该N沟道加强型功率MOSFET产品接纳九游会半导体的专有立体条形和DMOS技能消费。这种先辈的MOSFET技能已专门定制用来低落导通电阻,并提供杰出的开关功能和较高的雪崩能量强度。这些器件实用于开关形式电源、音频缩小器、直流电机控制和可变开关电源使用。

FQPF19N10 - 产品特征
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  • 13.6A, 100V, RDS(on) = 100mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 6.8A栅极电荷低(典范值:19nC)
  • 低 Crss(典范值32pF)
  • 100% 颠末雪崩击穿测试
  • 175°C最大结温额外值"
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  • 以上特征由Fairchild(仙童半导体)提供,理解更多介绍请在本站下载技能文档
  • FQPF19N10 - 产品使用

    • 其他音频与视频

    以下列出了FQPF19N10相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
    详细产品型号消费情况及ROHS尺度仙童官网订购代价(美元)
    FQPF19N10量产切合RoHS尺度停止2006年2月27日$0.6855
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