

FQH8N100C - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、8.0 A、1.45 Ω
FQH8N100C是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FQH8N100C是N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、8.0 A、1.45 Ω,本站介绍了FQH8N100C的封装使用图解、特点和好处、功效等,并给出了与FQH8N100C相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQH8N100C - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、8.0 A、1.45 Ω - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FQH8N100C - 产品形貌
该N沟道加强型功率MOSFET产品接纳九游会半导体的专有立体条形和DMOS技能消费。这种先辈的MOSFET技能已专门定制用来低落导通电阻,并提供杰出的开关功能和较高的雪崩能量强度。这些器件实用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
FQH8N100C - 产品特征
- 8A,1000V,RDS(on) = 1.45Ω ,VGS = 10 V
- 低栅极电荷(典范值53nC)
- 低Crss(典范值16pF)
- 疾速开关
- 100% 颠末雪崩击穿测试
- 进步了 dv/dt 功能
- 切合 RoHS 尺度
FQH8N100C - 产品使用
- 其他产业
以下列出了FQH8N100C相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
详细产品型号 | 消费情况及ROHS尺度 | 仙童官网订购代价(美元) |
FQH8N100C | 量产-ROHS:停止2013年8月 | $2.32 |
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