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Fairchild产品 - FQH8N100C介绍
FQH8N100C - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、8.0 A、1.45 Ω

FQH8N100C是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FQH8N100C是N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、8.0 A、1.45 Ω,本站介绍了FQH8N100C的封装使用图解、特点和好处、功效等,并给出了与FQH8N100C相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FQH8N100C - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、8.0 A、1.45 Ω - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FQH8N100C - 产品形貌

该N沟道加强型功率MOSFET产品接纳九游会半导体的专有立体条形和DMOS技能消费。这种先辈的MOSFET技能已专门定制用来低落导通电阻,并提供杰出的开关功能和较高的雪崩能量强度。这些器件实用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

FQH8N100C - 产品特征
  • 8A,1000V,RDS(on) = 1.45Ω ,VGS = 10 V
  • 低栅极电荷(典范值53nC)
  • 低Crss(典范值16pF)
  • 疾速开关
  • 100% 颠末雪崩击穿测试
  • 进步了 dv/dt 功能
  • 切合 RoHS 尺度
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  • 以上特征由Fairchild(仙童半导体)提供,理解更多介绍请在本站下载技能文档
  • FQH8N100C - 产品使用

    • 其他产业

    以下列出了FQH8N100C相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
    详细产品型号消费情况及ROHS尺度仙童官网订购代价(美元)
    FQH8N100C量产-ROHS:停止2013年8月$2.32
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