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FQD10N20C - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 7.8A, 360mΩ
FQD10N20C是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQD10N20C是N 沟道 QFET MOSFET 200V, 7.8A, 360mΩ，本站介绍了FQD10N20C的封装使用图解、特点和好处、功效等，并给出了与FQD10N20C相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQD10N20C - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 7.8A, 360mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQD10N20C - 产品形貌
该N沟道加强型功率MOSFET产品接纳九游会半导体的专有立体条形和DMOS技能消费。这种先辈的MOSFET技能已专门定制用来低落导通电阻，并提供杰出的开关功能和较高的雪崩能量强度。这些器件实用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
FQD10N20C - 产品特征
- 7.8A, 200V, RDS(on) = 360mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.9A栅极电荷低（典范值：20nC)
- 低 Crss（典范值40.5pF)
- 100% 颠末雪崩击穿测试
FQD10N20C - 产品使用
- CRT/RPTV
- LED电视
- 其他产业
以下列出了FQD10N20C相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
| 详细产品型号 | 消费情况及ROHS尺度 | 仙童官网订购代价(美元) |
| FQD10N20CTM | 量产切合RoHS尺度停止2006年2月27日 | $0.3428 |
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