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FQA11N90C_F109 - N 沟道 QFET MOSFET 900V, 11.0A, 1.1Ω
FQA11N90C_F109是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQA11N90C_F109是N 沟道 QFET MOSFET 900V, 11.0A, 1.1Ω，本站介绍了FQA11N90C_F109的封装使用图解、特点和好处、功效等，并给出了与FQA11N90C_F109相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQA11N90C_F109 - N 沟道 QFET MOSFET 900V, 11.0A, 1.1Ω - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQA11N90C_F109 - 产品形貌
该N沟道加强型功率MOSFET产品接纳九游会半导体的专有立体条形和DMOS技能消费。这种先辈的MOSFET技能已专门定制用来低落导通电阻，并提供杰出的开关功能和较高的雪崩能量强度。这些器件实用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
FQA11N90C_F109 - 产品特征
- 11A, 900V, RDS(on) = 1.1Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 5.5A栅极电荷低（典范值：60nC)
- 低 Crss（典范值23pF)
- 100% 颠末雪崩击穿测试
- 切合 RoHS 尺度
FQA11N90C_F109 - 产品使用
- AC-DC商用电源-台式盘算机
- 台式盘算机
以下列出了FQA11N90C_F109相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
| 详细产品型号 | 消费情况及ROHS尺度 | 仙童官网订购代价(美元) |
| FQA11N90C_F109 | 量产切合RoHS尺度停止2006年2月27日 | $2.35 |
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