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FDY1002PZ - -20Ｖ双P沟道-1.5V额外PowerTrench MOSFET
FDY1002PZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDY1002PZ是-20Ｖ双P沟道-1.5V额外PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDY1002PZ的封装使用图解、特点和好处、功效等，并给出了与FDY1002PZ相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDY1002PZ - -20Ｖ双P沟道-1.5V额外PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDY1002PZ - 产品形貌
此双P沟道MOSFET接纳九游会半导体先辈的PowerTrench工艺设计而成，优化了DS(on)@VGS=–1.5V。
FDY1002PZ - 产品特征
- VGS = -4.5 V，ID = -0.83 A时，最大rDS(on) = 0.5Ω
- VGS = –2.5 V，ID = –0.70 A时，最大rDS(on) = 0.7 Ω
- VGS = –1.8 V，ID = –0.43 A时，最大rDS(on) = 1.2 Ω
- VGS = –1.5 V，ID = –0.36 A时，最大rDS(on) = 1.8 Ω
- HBM ESD掩护品级 = 1400kV （注3）
- 切合RoHS尺度
FDY1002PZ - 产品使用
该产品为通用产品，实用于许多差别使用。
以下列出了FDY1002PZ相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
| 详细产品型号 | 消费情况及ROHS尺度 | 仙童官网订购代价(美元) |
| FDY1002PZ | 量产-ROHS：停止2011年1月 | $0.102 |
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