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Fairchild产品 - FDY1002PZ介绍
FDY1002PZ - -20V双P沟道-1.5V额外PowerTrench MOSFET

FDY1002PZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDY1002PZ是-20V双P沟道-1.5V额外PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDY1002PZ的封装使用图解、特点和好处、功效等,并给出了与FDY1002PZ相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDY1002PZ - -20V双P沟道-1.5V额外PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDY1002PZ - 产品形貌

此双P沟道MOSFET接纳九游会半导体先辈的PowerTrench工艺设计而成,优化了DS(on)@VGS=–1.5V。

FDY1002PZ - 产品特征
  • VGS = -4.5 V,ID = -0.83 A时,最大rDS(on) = 0.5Ω
  • VGS = –2.5 V,ID = –0.70 A时,最大rDS(on) = 0.7 Ω
  • VGS = –1.8 V,ID = –0.43 A时,最大rDS(on) = 1.2 Ω
  • VGS = –1.5 V,ID = –0.36 A时,最大rDS(on) = 1.8 Ω
  • HBM ESD掩护品级 = 1400kV (注3)
  • 切合RoHS尺度
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  • 以上特征由Fairchild(仙童半导体)提供,理解更多介绍请在本站下载技能文档
  • FDY1002PZ - 产品使用

    该产品为通用产品,实用于许多差别使用。

    以下列出了FDY1002PZ相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
    详细产品型号消费情况及ROHS尺度仙童官网订购代价(美元)
    FDY1002PZ量产-ROHS:停止2011年1月$0.102
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