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FDP22N50N - N 沟道 UniFET II MOSFET 500V，22A，220mΩ
FDP22N50N是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDP22N50N是N 沟道 UniFET II MOSFET 500V，22A，220mΩ，本站介绍了FDP22N50N的封装使用图解、特点和好处、功效等，并给出了与FDP22N50N相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDP22N50N - N 沟道 UniFET II MOSFET 500V，22A，220mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDP22N50N - 产品形貌
UniFETTMIIMOSFET是九游会半导体的高压MOSFET系列产品，基于先辈立体条形和DMOS技能。该先辈MOSFET系列在立体MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供杰出的开关功能和更高的雪崩能量强度。别的，外部的栅源ESD二极管使UniFETIIMOSFET产品可接受凌驾2kV的HBM打击应力。该器件系列实用于开关电源转换器使用，如功率因数校正（PFC）、平板表现器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。
FDP22N50N - 产品特征
- RDS(on) = 185mΩ （典范值）@ VGS = 10V, ID = 11A
- 低栅极电荷（典范值 49nC)
- 低 Crss（典范值 24pF）
- 100% 颠末雪崩击穿测试
- 进步了 dv/dt 处置才能
- 切合 RoHS 尺度
FDP22N50N - 产品使用
该产品为通用产品，实用于许多差别使用。
以下列出了FDP22N50N相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
| 详细产品型号 | 消费情况及ROHS尺度 | 仙童官网订购代价(美元) |
| FDP22N50N | 量产切合RoHS尺度停止2006年2月27日 | $2.18 |
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