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FDMD82100L - 100 V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET
FDMD82100L是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMD82100L是100 V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMD82100L的封装使用图解、特点和好处、功效等，并给出了与FDMD82100L相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMD82100L - 100 V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMD82100L - 产品形貌
该器件包罗两个100VN沟道MOSFET，接纳双Power(3.3mmx5mm)封装。HS源极和LS漏极外部毗连完成半桥/全桥，低源极电感封装、低rDS(on)/QgFOM硅片。
FDMD82100L - 产品特征
- 最大 rDS(on)=19.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 7 A 时）
- 最大 rDS(on)=30 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 5.7 A 时）
- 是完成桥式拓扑低级端机动结构的抱负选择
- 终端无引线且切合 RoHS 尺度
- 100% 颠末 UIL 测试
- 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚分列才能
FDMD82100L - 产品使用
以下列出了FDMD82100L相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
| 详细产品型号 | 消费情况及ROHS尺度 | 仙童官网订购代价(美元) |
| FDMD82100L | 量产-ROHS：停止2014年3月 | $1.378 |
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