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Fairchild产品 - FDMC8360L介绍
FDMC8360L - 40 V N 沟道栅极屏障 Power Trench MOSFET

FDMC8360L是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDMC8360L是40 V N 沟道栅极屏障 Power Trench MOSFET,本站介绍了FDMC8360L的封装使用图解、特点和好处、功效等,并给出了与FDMC8360L相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDMC8360L - 40 V N 沟道栅极屏障 Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDMC8360L - 产品形貌

N沟道MOSFET接纳九游会半导体的先辈PowerTrench工艺制造而成,该工艺集成了栅极屏障技能。该工艺经优化,实用通态电阻优化,却仍坚持杰出的开关功能。

FDMC8360L - 产品特征
  • 栅极屏障 MOSFET 技能
  • rDS(on)最大值 = 2.1 mΩ(VGS = 10 V、ID = 27 A)
  • rDS(on)最大值 = 3.1 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 22 A)
  • 高功能技能可完成极低的 rDS(on)
  • 终端为无铅产品
  • 100% 颠末 UIL 测试
  • 切合 RoHS 尺度
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  • 以上特征由Fairchild(仙童半导体)提供,理解更多介绍请在本站下载技能文档
  • FDMC8360L - 产品使用

    • DC-DC商用电源

    以下列出了FDMC8360L相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
    详细产品型号消费情况及ROHS尺度仙童官网订购代价(美元)
    FDMC8360L量产-ROHS:停止2012年12月$1.5339
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