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FDMC8360L技能文档下载：
FDMC8360L - 40 V N 沟道栅极屏障 Power Trench MOSFET
FDMC8360L是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC8360L是40 V N 沟道栅极屏障 Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMC8360L的封装使用图解、特点和好处、功效等，并给出了与FDMC8360L相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMC8360L - 40 V N 沟道栅极屏障 Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMC8360L - 产品形貌
N沟道MOSFET接纳九游会半导体的先辈PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏障技能。该工艺经优化，实用通态电阻优化，却仍坚持杰出的开关功能。
FDMC8360L - 产品特征
- 栅极屏障 MOSFET 技能
- rDS(on)最大值 = 2.1 mΩ（VGS = 10 V、ID = 27 A）
- rDS(on)最大值 = 3.1 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 22 A）
- 高功能技能可完成极低的 rDS(on)
- 终端为无铅产品
- 100% 颠末 UIL 测试
- 切合 RoHS 尺度
FDMC8360L - 产品使用
- DC-DC商用电源
以下列出了FDMC8360L相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
| 详细产品型号 | 消费情况及ROHS尺度 | 仙童官网订购代价(美元) |
| FDMC8360L | 量产-ROHS：停止2012年12月 | $1.5339 |
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