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FDMC8010ET30技能文档下载：
FDMC8010ET30 - N 沟道 PowerTrench MOSFET
FDMC8010ET30是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC8010ET30是N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC8010ET30的封装使用图解、特点和好处、功效等，并给出了与FDMC8010ET30相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMC8010ET30 - N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMC8010ET30 - 产品形貌
此N沟道MOSFET接纳九游会半导体先辈的PowerTrench工艺消费，这一先辈工艺是专为最大限制地低落导通电阻而定制的。此器件十分合适必要在小空间内完成低rDS(on)的使用，比方高功能VRM、POL和Oring功效。
FDMC8010ET30 - 产品特征
- TJ额外值扩展：175°C
- 最大值 rDS(on) = 1.3 mΩ（VGS = 10 V，ID = 30 A ）
- 最大值 rDS(on) = 1.8 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 25 A ）
- 高功能沟道技能可完成极低的 rDS(on)
- 终端无引线且切合 RoHS 尺度
FDMC8010ET30 - 产品使用
以下列出了FDMC8010ET30相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
| 详细产品型号 | 消费情况及ROHS尺度 | 仙童官网订购代价(美元) |
| FDMC8010ET30 | 量产-ROHS：停止2014年11月 | $0.7975 |
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