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Fairchild产品 - FDG316P介绍
FDG316P - P沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET

FDG316P是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDG316P是P沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDG316P的封装使用图解、特点和好处、功效等,并给出了与FDG316P相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDG316P - P沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDG316P - 产品形貌

此P沟道逻辑电平MOSFET接纳九游会半导体先辈的PowerTrench工艺消费,这一先辈工艺是专为最大限制地低落导通阻抗并坚持杰出开关功能而定制的。这些器件十分合适必要线路内低功率消耗和疾速开关的低电压和电池供电使用。

FDG316P - 产品特征
  • -1.6 A,-30 A V。 RDS(on) = 0.19 Ω @ VGS = -10 V。 RDS(on) = 0.30 Ω @ VGS = -4.5 V。
  • 低栅极电荷(3.5nC,典范值)。
  • 高功能沟道技能可完成极低的RDS(ON)。
  • 紧凑的产业尺度SC70-6外表贴装封装。
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  • 以上特征由Fairchild(仙童半导体)提供,理解更多介绍请在本站下载技能文档
  • FDG316P - 产品使用

    该产品为通用产品,实用于许多差别使用。

    以下列出了FDG316P相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
    详细产品型号消费情况及ROHS尺度仙童官网订购代价(美元)
    FDG316P量产-ROHS:停止2010年12月$1.02
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