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FDC6305N - 双N沟道2.5V规格PowerTrench MOSFET
FDC6305N是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDC6305N是双N沟道2.5V规格PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDC6305N的封装使用图解、特点和好处、功效等，并给出了与FDC6305N相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDC6305N - 双N沟道2.5V规格PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDC6305N - 产品形貌
这些N沟道低阈值2.5V额外MOSFET接纳九游会半导体先辈的PowerTrench工艺消费，这一先辈工艺是专为最大限制地低落通态电阻并坚持低栅极电荷以取得杰出开关功能而定制的。
FDC6305N - 产品特征
- 2.7 A, 20 V
- RDS(on) = 0.08Ω @ VGS = 4.5 V
- RDS(on) = 0.12Ω @ VGS = 2.5V
- 低栅极电荷（3.5nC，典范值）
- 疾速开关速率
- 高功能沟道技能可完成极低的RDS(ON)
- SuperSOT -6封装： 小尺寸（比尺度SO-8小72%）；薄型（1mm厚）
FDC6305N - 产品使用
该产品为通用产品，实用于许多差别使用。
以下列出了FDC6305N相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
| 详细产品型号 | 消费情况及ROHS尺度 | 仙童官网订购代价(美元) |
| FDC6305N | 量产-ROHS：停止2011年7月 | $0.334 |
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