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Fairchild产品 - FDB12N50TM介绍
FDB12N50TM - N 沟道 UniFET MOSFET 500V,11.5A,650mΩ

FDB12N50TM是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDB12N50TM是N 沟道 UniFET MOSFET 500V,11.5A,650mΩ,本站介绍了FDB12N50TM的封装使用图解、特点和好处、功效等,并给出了与FDB12N50TM相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDB12N50TM - N 沟道 UniFET MOSFET 500V,11.5A,650mΩ - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDB12N50TM - 产品形貌

UniFETTMMOSFET是九游会半导体的高压MOSFET系列产品,基于立体条形和DMOS技能。该MOSFET产品公用于低落通态电阻,并提供更好的开关功能和更高的雪崩能量强度。该器件系列实用于开关电源转换器使用,如功率因数校正(PFC)、平板表现器(FPD)电视电源、ATX及照明设置装备摆设用镇流器。

FDB12N50TM - 产品特征
  • RDS(on) = 550mΩ (典范值)@ VGS = 10V, ID = 6A
  • 低栅极电荷(典范值 22nC)
  • 低 Crss(典范值 11pF)
  • 100% 颠末雪崩击穿测试
  • 切合 RoHS 尺度
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  • 以上特征由Fairchild(仙童半导体)提供,理解更多介绍请在本站下载技能文档
  • FDB12N50TM - 产品使用

    该产品为通用产品,实用于许多差别使用。

    以下列出了FDB12N50TM相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
    详细产品型号消费情况及ROHS尺度仙童官网订购代价(美元)
    FDB12N50TM量产切合RoHS尺度停止2006年2月27日$1.06
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