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FDB12N50TM - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，11.5A，650mΩ
FDB12N50TM是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDB12N50TM是N 沟道 UniFET MOSFET 500V，11.5A，650mΩ，本站介绍了FDB12N50TM的封装使用图解、特点和好处、功效等，并给出了与FDB12N50TM相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDB12N50TM - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，11.5A，650mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDB12N50TM - 产品形貌
UniFETTMMOSFET是九游会半导体的高压MOSFET系列产品，基于立体条形和DMOS技能。该MOSFET产品公用于低落通态电阻，并提供更好的开关功能和更高的雪崩能量强度。该器件系列实用于开关电源转换器使用，如功率因数校正（PFC）、平板表现器（FPD）电视电源、ATX及照明设置装备摆设用镇流器。
FDB12N50TM - 产品特征
- RDS(on) = 550mΩ （典范值）@ VGS = 10V, ID = 6A
- 低栅极电荷（典范值 22nC）
- 低 Crss（典范值 11pF）
- 100% 颠末雪崩击穿测试
- 切合 RoHS 尺度
FDB12N50TM - 产品使用
该产品为通用产品，实用于许多差别使用。
以下列出了FDB12N50TM相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
| 详细产品型号 | 消费情况及ROHS尺度 | 仙童官网订购代价(美元) |
| FDB12N50TM | 量产切合RoHS尺度停止2006年2月27日 | $1.06 |
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