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Fairchild产品 - FCD850N80Z介绍
FCD850N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET

FCD850N80Z是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FCD850N80Z是N 沟道 SuperFET II MOSFET,本站介绍了FCD850N80Z的封装使用图解、特点和好处、功效等,并给出了与FCD850N80Z相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FCD850N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FCD850N80Z - 产品形貌

SuperFETIIMOSFET是Fairchild使用电荷均衡技能完成精彩的低导通电阻和更低栅极电荷功能的全新高压超等结(SJ)MOSFET系列产品。这项技能公用于最小化导通消耗并提供杰出的开关功能、dv/dt额外值和更高雪崩能量。别的,外部栅源极ESD二极管容许担当凌驾2kVHBM打击压力。因而,SuperFETIIMOSFET十分合适功率开关使用,如音频、条记本适配器、照明、ATX电源和产业电源使用。

FCD850N80Z - 产品特征
  • 典范值 RDS(on) = 710 mΩ(典范值)
  • 超低栅极电荷(典范值 Qg = 22 nC)
  • 低 Eoss(典范值 2.3 uJ @ 400V)
  • 低无效输入电容(典范值 Coss(eff.) = 106 pF)
  • 100% 颠末雪崩击穿测试
  • 切合 RoHS 尺度
  • 改良了 ESD 防护才能
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  • 以上特征由Fairchild(仙童半导体)提供,理解更多介绍请在本站下载技能文档
  • FCD850N80Z - 产品使用
    以下列出了FCD850N80Z相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
    详细产品型号消费情况及ROHS尺度仙童官网订购代价(美元)
    FCD850N80Z量产-ROHS:停止2014年7月$1.15
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